探究与注意瞬脱现象中个人差有关的大脑结构和功能连接
注意瞬脱对于表征瞬时注意和意识的限度十分重要，而其神经机制尚处于争论之中。本研究旨在通过对大样本量的被试运用多种行为测试、多模态MRI测量以及经颅磁刺激，探究注意瞬脱现象中的个人差背后的神经机制。
02 研究方法
2.1 被试
研究共有21名有效被试，女性8人，平均年龄为20.48岁。
2.2 实验流程
刺激材料为数字（1-9）和大写字母（A-Z，其中B、I、O、Z为了避免与数字混淆被删除），以黑色字体呈现在灰色背景上。两个不同的数字被随机选为T1、T2目标，22个字母为干扰子，连续两个干扰子不相同。被试通过按空格键开始实验，屏幕上黑色十字注视点呈现1400-1800ms，随后RSVP流开始呈现。每个刺激呈现80ms，刺激间无间隔。T1目标随机出现在刺激流的7-10位，T2目标出现在T1目标之后的第三个或第十个位置。被试的任务是在刺激流终止后尽可能快地在键盘上按出两个数字目标对应的键，对于此反应无反馈。实验分为两节，其中一节会给予真正的TMS刺激，另一节给予的是伪装刺激。刺激给予的时间点有两种：T1出现后或T2出现后。实验共有4个block，每个block里包含40个试次，根据T1、T2间隔的干扰子的数目以及TMS刺激给予的时间点分为四个条件，每种条件在每个block中重复10次。
得到的指标包含：T1的正确率、在T1正确的情况下T2的正确率、瞬脱幅度（ABM）= ((T2|T1lag10—T2|T1lag3)/T2|T1lag10)
图1. 实验刺激及流程示意图
2.3 数据采集和处理
通过Visor 2 (ANT Neuro, Netherlands) 精确定位线圈的刺激部位——左下额叶交界处。TMS刺激通过7mm八字形线圈施加，以13.3 Hz的频率发出3脉冲刺激，给予时间点为T1/T2出现后的75、150、225ms，刺激强度为80%静息运动阈值。
03 实验结果
以是否实际施加了TMS刺激、T1和T2之间干扰子的数目为组内要因，分别对T1目标后及T2目标后施加TMS刺激的情况下T2的正确率进行方差分析。当刺激施加在T1之后时，有刺激和干扰子数目的交互作用。具体来说，当T2在T1之后第三个位置出现时，真实的TMS刺激相比伪装刺激提高了T2的正确率。而当刺激施加在T2之后时，无任何显著交互作用。
对ABM进行方差分析的结果显示，当在T1之后施加TMS刺激时，ABM会显著减小；在T2后施加的TMS刺激不会产生此效果。
图2. 在T1/T2之后给予真正TMS刺激和伪装刺激条件下T2的准确率
图3. 在T1/T2之后给予真正TMS刺激和伪装刺激条件下的瞬脱幅度
04 结论
本研究使用TMS在时间进程上扰乱了左下额叶交界处的功能，揭示了在T1出现后对左下额叶交界处进行TMS刺激可以减少注意瞬脱缺损。这表明在注意瞬脱现象中，左下额叶交界处的功能可能与右顶叶下叶或右顶叶内沟不同，扮演了抑制控制的角色，即在巩固了T1后，左下额叶交界处积极地抑制了干扰子的加工，从而分配更多资源用于T2的加工。
05 参考文献及DOI号
Zhou, L., Zhen, Z., Liu, J., & Zhou, K. (2020). Brain Structure and Functional Connectivity Associated with Individual Differences in the Attentional Blink. Cerebral Cortex, 30(12), 6224-6237.
Doi: 10.1093/cercor/bhaa180
