氩离子抛光仪工作原理
随着现代科学和工业的发展，材料组分和结构朝着多样化和复杂化的方向发展，传统的抛光方法往往无法有效地制备特殊的材料和样品，比如复合材料、多孔材料等。
裕隆时代ArFab氩离子抛光是利用氩离子束对样品表面进行蚀刻加工的方法，它基于离子轰击效应，通过高能入射离子与固体样品表面层附近的原子产生碰撞，从而去除样品表面原子，达到抛光效果的过程。
与传统抛光方法相比，氩离子抛光具有应力应变小、污染少、定位准确、操作简单和普适性等特点。
氩离子抛光可以有效地去除样品表面的损伤层和非晶层，避免常规制样过程中产生的机械损伤、材料表面变形及额外应力等优点，有效提升SEM及EBSD分析的准确性和可靠性，因此在材料科学研究中获得广泛应用。
敬请联络 裕隆时代 010-62369061
裕隆时代ArFab氩离子抛光是利用氩离子束对样品表面进行蚀刻加工的方法，它基于离子轰击效应，通过高能入射离子与固体样品表面层附近的原子产生碰撞，从而去除样品表面原子，达到抛光效果的过程。
与传统抛光方法相比，氩离子抛光具有应力应变小、污染少、定位准确、操作简单和普适性等特点。
氩离子抛光可以有效地去除样品表面的损伤层和非晶层，避免常规制样过程中产生的机械损伤、材料表面变形及额外应力等优点，有效提升SEM及EBSD分析的准确性和可靠性，因此在材料科学研究中获得广泛应用。
应用案例
- 离子平面抛光后的页岩截面，揭示样品表面纳米级孔隙，左图为无机孔，右图为有机孔。SEM图像，石油地质。
- 离子切割后的手机柔性屏幕内部结构和材料特征。半导体领域
- 离子切割后的电池材料截面，揭示其内部结构。左图为电池阳极几篇，右图为电池隔膜。SEM图像，能源材料领域
- 左图：离子切割后芯片内部结构，右图：离子平面抛光后芯片内部结构。SEM图像，半导体芯片领域。
- 平面抛光后LED焊盘结构。SEM图像，半导体光电领域
- 低电压平面抛光后的合成材料EBSD结构。EBSD图像，新材料领域。
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