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创伤性脑损伤(traumatic brain injury，TBI)是神经外科最常见的疾病，是导致创伤患者伤残及死亡的主要原因。研究脑损伤后的神经生化、神经病理生理等方面的变化，可为探索行之有效的脑保护治疗提供帮助，将有助于提高颅脑损伤患者的生存率及生存质量。故建立各种便于观察和施加干预因素、控制性佳、可分级、可复制性好并符合人类脑创伤特点的创伤性脑损伤模型，是目前创伤性脑损伤的研究热点。
VCU动物颅脑损伤仪可以分为细胞损伤控制仪（CIC），电子脑皮质挫伤撞击仪（eCCI）及液压冲击损伤仪（FPI）。这三种产品已经广泛应用于世界范围内的颅脑创伤研究中心，是目前唯一的颅脑创伤模型制作的金标准。同时FPI损伤仪还可应用到眼科损伤模型，CIC细胞损伤仪可以应用到其它种类细胞损伤模型的制作。
液压冲击损伤仪（FPI）
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细胞损伤控制仪（CIC）
| 细胞损伤控制仪（Cell Injury Controller II）采取电子式控制，适合脑源性细胞培养样品，或其它离体培养细胞的牵张性（strain-induced trauma）损伤模型制作。损伤后可进行神经生化、形态学、生理学，药物干预等方面的研究。细胞损伤控制仪使用Flexcell Int’l corp具有专利的组织培养系统。细胞损伤控制仪平均把压缩气体送到每个培养室，以造成培养组织牵张性的损伤，损伤的严重程度是依靠控制进出密闭培养室的气体量。培养室的峰值压力同时被记录下来，这个数值可以用来精确地表明引起牵张性细胞损伤的气压值。细胞损伤控制仪（CIC II）可以搭配Flex I® 29.45cm2 culturing trays I (针对VCU早期的细胞损伤控制仪)或BioFlex® 57.75cm2 culturing trays。因为根据所采用的细胞种类、损伤的程度、培养的状况，受损后的细胞或许会因为上述因素死亡或修复，所以VCU的细胞损伤控制仪(CIC II)很适合应用在下列损伤反应研究：细胞受损、修护，死亡，药物介入。 |
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电子脑皮质挫伤撞击仪（eCCI）
| 由VCU大学所制作设计的电子大脑皮质挫伤撞击仪（electric Cortical Contusion Impactor），主要针对脑皮质挫伤模型。是神经损伤研究机构最受欢迎的损伤模型制作工具。电子大脑皮质挫伤撞击仪（eCCI）的组件有： 坚固的铝架，动物平台，撞击控制器和撞击头。动物平台可以和各种立体定位仪搭配使用。eCCI电子大脑皮质挫伤撞击仪使用高级的线性马达驱动撞击头，并由控制器来控制撞击参数，实现不同程度的损伤。撞击头的组件部分有含感应器，可以确定速率、撞击深度及撞击停留。这些撞击参数完全可以重复实现。 与传统Feeney＇s自由落体硬膜外撞击方法相比有以下优点： 可精确连续的控制撞击速度，并获得实际撞击深度和停留时间等参数。而非重量差异很大的撞击。由于可精确控制撞击速度和获得实际撞击结果参数，eCCI电子大脑皮质挫伤撞击仪可以精确重复制作挫伤损伤模型。减少动物死亡。使实验过程更加直观，可控。 |
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