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ArFab 100 氩离子抛光仪/CP离子研磨抛光仪
英文名称:ArFab100 ion polisher总访问:275
国产/进口:国产半年访问:106
产地/品牌:北京/裕隆时代产品类别:研磨
型       号:ArFab100 最后更新:2025-2-21
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销售商: 北京裕隆时代科技有限公司 查看该公司所有产品 >>
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裕隆时代向用户提供性能优越的ArFab100氩离子抛光仪,为电镜、电子探针、原子力显微镜样品进行无损截面制备。

适用范围:新能源材料、非常规能源、半导体、芯片、制药等行业。
 
 
大尺寸切抛合一的纳米加工系统                             
 
性能优势
 
  • 一套系统兼具离子平面抛光和离子切割功能,操作简捷
  •  动态离子切割技术,实现样品的往复平移和旋转,最大切割长度达10mm,有效减少投影/遮挡效应
  • 超大平面抛光装载尺寸25x25mm(直径X高度),为原位试验等大尺寸样品试验提供可能
  • 能量0.5-10KV连续可调,既可满足低能区减少非晶层,又可兼顾高能区,大幅提高制样效率
  • 10英寸彩色触屏,全中文图像用户界面,方便快捷的参数设置,可远程控制
 
 
 
样品适用性
 
  • 无论软硬,多孔或致密,脆性或韧性,热敏感,或非均质多相复合型材料,都可获得高质量无损切割界面

 
 
  • 切割模式采用独创的微型多轴动态离子切割台,样品切割长度可达10mm

 
应用案例
 
  • 离子平面抛光后的页岩截面,揭示样品表面纳米级孔隙,左图为无机孔,右图为有机孔。SEM图像,石油地质。

 
 
  • 离子切割后的手机柔性屏幕内部结构和材料特征。半导体领域

 
 
  • 离子切割后的电池材料截面,揭示其内部结构。左图为电池阳极几篇,右图为电池隔膜。SEM图像,能源材料领域

 
 
  • 左图:离子切割后芯片内部结构,右图:离子平面抛光后芯片内部结构。SEM图像,半导体芯片领域。

 
 
  • 平面抛光后LED焊盘结构。SEM图像,半导体光电领域

 
 
  • 低电压平面抛光后的合成材料EBSD结构。EBSD图像,新材料领域。
 
 
 
技术参数
离子枪
离子枪 配备两支独立离子枪,可选单枪或双枪模式
加速电压 0.5-10KV连续可调
工作束流 0.5-7mA连续可调
抛光速率 200um/h(10KV,硅样品)
样品台
 
抛光样品尺寸 25X25mm(直径x高)样品台
切割样品尺寸 50x10x35mm(长x宽x高)
旋转速度 10-3600/S
抛光角度 0-200连续可调
真空系统
真空系统 两级真空,无油涡旋干泵,支持80L/S涡轮分子泵
工作真空 9X10-5 mbar
极限真空 5X10-7 mbar
真空规 全量程(常压到高真空)冷阴极真空规
用户界面 10英寸触屏,中文操作界面,简洁方便,可远程控制
电源要求 90-264VAC,600W
 
 
北京裕隆时代科技有限公司
01062369061,  13693309125
email: sem@ylcorp.com.cn
www.ylcorp.com.cn
bio-equip.com
售后服务
裕隆时代拥有一支涉及众多领域高素质的应用支持团队,向客户提供完整的实验室解决方案和良好的售后服务。


我们承诺24小时内对客户需求做出反应。

专业勤奋的销售队伍,随时为您提供咨询服务。

经验丰富的专家队伍,为您答疑解惑,拓展您的应用领域,提升客户应用水平。

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