QSense Omni 耗散型石英晶体微天平

神思药得专业服务生物制药客户，针对制药领域的大分子药物相互作用和制剂、包装材料相关表界面分析研究进行深入开发，特别推荐QSense耗散型石英晶体微天平，从微观层面助力生物制药研发。
QSense® Omni 耗散型石英晶体微天平——高效无忧的QCM-D技术创新引领未来

QCM-D技术的开创者
QSense® Omni是我们最新一代QCM-D耗散型石英晶体微天平，现有的技术加上几十年对表界面相互作用的深度理解，QSense® Omni可以为您提供更清晰的结果和更顺畅的实验过程。QSense® Omni可以更快展示您独到的见解，并基于高度可控的测量结果做出更可靠的结论。
QSense® Omni 适用场景：
您需要简单易用
• 开箱即用的解决方案
• 开启工作所需的一切皆已包含
您需要灵活性
• 自由构建满足您现在和将来需求的系统
您需要自动化
• 最大限度地减少操作时间
• 最大限度地提高可重复性
您重视数据质量
• 从全新一代高端QCM-D仪器中获取值得信任的结果
QSense® Omni 技术特点：
• 自动样品切换
• 自动运行QC程序
• 直接注入液体
• 快速液体交换
• 芯片自动锁紧
• 集成样品加热舱
• 各通道流速独立调节
• 实时编辑程序
三个选用QSense® Omni的原因：
数据解析更容易
一流的信号处理和快速可重复的液体交换，QSense® Omni为您提供清晰、简洁的数据。数据解析和分析更为轻松自信。
实验过程更顺畅
得益于直观的设计、智能的工作流程和灵巧的自动化，成功进行QCM-D实验并获取可信和可重复的结果变得史无前例地轻松简单。生产力大幅提高，工作更有效率。
与研究共同成长
设计卓越、功能智能，QSense® Omni为科学进步和未来创新量身定制。升级到更多通道或增加QSense Orbit来构建更多元化的实验设置和补充测量，您可以轻松跨越入门级门槛，让QSense® Omni与您的研究共同成长。
QSense芯片——多种芯片表面可选：
QSense芯片是QCM-D测量的核心。芯片涂层的选择对于您的实验至关重要。QSense科技可提供超过我们提供50种标准芯片涂层和200多种定制芯片，涵盖各种材料，包括金属、氧化物、碳化物、聚合物、功能化涂层和标准化土壤。您可以从种类繁多的芯片中找出哪种芯片材料和涂层最适合您的研究。也可以根据您的需求让QSense为您量身定制，我们可以让您尽可能接近真实的反应条件。
QSense科技开发和生产的芯片，经过严格的验证。QSense芯片将为您的QSense系统提供稳定、可靠和可重复的数据。芯片建议一次性使用。
 

QSense® Omni技术参数：
让我们深入了解下QSense Omni的技术性能，您还可以将这些参数与其他QSense仪器进行比较。

测量范围和能力
通道数	1 - 4
工作温度	4 到 70 °C
芯片基频	5 MHz
频率范围	1-72 MHz
倍频数量	7, 均可用于粘弹性建模
样品和流速
芯片上方体积	~ 20 μl
最小样品体积（流动模式）	~ 90 μl
流速范围	1-200 µl/min
测量特性
最大时间分辨率	每秒300个数据点 (每个数据点一个f 值和D值 )
最小噪音a	频率: 0.005 Hz 耗散因子: 1∙10-9		温度：0.0005 ˚C 质量: 0.08 ng/cm2
	不同模式下的性能请参阅样本第7页
长期稳定性 b C	频率:< 0.25 Hz/ 耗散因子: < 0.04.10-6 /h		温度: < 0.003 ˚C/h
Software软件	QSoft Omni		Dfind分析软件
数据输出	7个倍频下的频率和耗散因子		厚度（或质量）、粘度、剪切模量以及粘度和剪切模量的频率依赖性、动力学、斜率、上升时间等
电脑配置	USB 2.0或更高版本Type C接口 Intel i5处理器（或同等处理器） 内存不小于8GB 屏幕分辨率不小于1920 x 1080		64位处理器 屏幕分辨率不小于1366×768 内存不小于4 GB
操作系统	Windows 10或更新版本（Windows早期版本可能无法正常运行）
数据输入/输出	SQLite		pdf, rtf, png, svg, gif, csv, xls, ogw
电源
仪器输入	24 V DC, 10 A
外部电源输入	100-240 V AC, 50-60 Hz, 12.5 A
尺寸和重量	高(cm)	宽(cm)	深(cm)	重量(kg) d
单通道	32	22	36	14
双通道	32	29	36	22
三通道	32	36	36	29
四通道	32	43	36	37

所有规格可能会在未经通知的情况下更改
b. 温度稳定性取决于外部环境对样品舱的加热或者制冷。如果由于气流或热源等原因，室温变化超过±1℃，可能无法达到指定的温度稳定性。
c. 数据测试条件如下：QSX 303 SiO2芯片在25℃的去离子水中测量，流速为20µl/min，数据采集速率为每秒1个数据点，测量时长1小时。用于分析的数据间隔为2分钟。等待超过1小时可以获得更好的稳定性。
d. 重量不包括外部电源。
QSense® Omni实际性能：
更高的采样速率不可避免地会产生更高的噪音和提高检出限。通过明显降低噪音水平，QSense® Omni极大地降低了检出限。下面的图表描述了QSense® Omni在三种不同采样间隔下的检测限，可以看出在高采样频率下检出限也可以做到非常低。下面的图表列出了每种采集模式下的采集速度和检出限（LOD）。
表1 a：性能特征

数据采集设置	采集7个倍频数据需要的时间(s)	f/n-噪音 (Hz)	检测限(ng/cm²)	耗散因子D噪音(∙10-6)
低噪音	9.68	0.005	0.239	0.001
正常	1.06	0.009	0.496	0.003
快速	0.09	0.029	1.513	0.011

图2a：每种采集模式下的采集速度和检出限（LOD）。不同的采样间隔下的理论检测限（LOD）。检测限设定为频率噪音水平的3倍。
a 实验条件如下：QSX 303 SiO2芯片在20°C温度下、流量15μL/min的去离子水中使用一个测量通道进行测量。每种测量模式测量5分钟，根据1分钟时间范围内采集数据点的标准偏差，统计确定噪音数据。
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