CIF推出RIE反应离子刻蚀机,采用RIE反应离子诱导激发方式,实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学,科研院所、微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低,性价比高,易维护,处理快速高效。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行RIE反应离子刻蚀。具体包括:
- 介电材料(SiO2、SiNx等)
- 硅基材料(Si,a-Si,poly Si)
- III-V材料(GaAs、InP、GaN等)
- 溅射金属(Au、Pt、Ti、Ta、W等)
- 类金刚石(DLC)
产品特点:
PLC工控机控制整个清洗过程,全自动进行。
7寸彩色触摸屏互动操作界面,图形化操作界面显示,自动监测工艺参数状态,0~99配方程序,可存储、输出、追溯工艺数据,机器运行、停止提示。
手动、自动两种工作模式。
全真空管路系统采用316不锈钢材质,耐腐蚀无污染。
采用防腐数字流量计控制,标配双路气体输送系统,可选多气路气体输送系统,气体分配均匀。可输入氧气、氩气、氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。
具备HEPA高效过滤气体返填吹扫功能。
- 符合人体功能学的60度倾角操作界面设计,操作方便,界面友好。
- 316不锈钢、航空铝真空仓选择。
采用顶置真空仓,上开盖设计,下压式铰链开关方式。上置式360度水平取放样品设计,符合人体功能学,操作更方便。
有效处理面积大,可处理最大直径200mm晶元硅片。
技术参数
型号 |
RIE200 |
RIE200plus |
舱体内尺寸 |
H38xΦ260mm |
H38xΦ260mm |
舱体容积 |
2L |
2L |
射频电源 |
40KHz |
13.56MHz |
电极 |
不锈钢气浴RIE电极,Φ200mm |
不锈钢气浴RIE电极,Φ200mm |
匹配器 |
自动匹配 |
自动匹配 |
刻蚀方式 |
RIE |
RIE |
射频功率 |
10-300W可调(可选10-1000W) |
10-300W可调(可选10-600W) |
气体控制 |
质量流量计(MFC)(标配双路,可选多路)流量范围0-500SCCM(可调) |
工艺气体 |
Ar、N₂、O₂、H₂、CF4、CF4+ H2、CHF3或其他混合气体等(可选) |
最大处理尺寸 |
≤Φ200mm |
时间设定 |
1-99分59秒 |
真空泵 |
抽速约8m3/h |
气体稳定时间 |
1分钟 |
极限真空 |
≤1Pa |
电 源 |
AC220V 50-60Hz,所有配线符合《低压配电设计规范 GB50054-95》、《低压配电装置及线路设计规范》等国标标准相关规定。 |
当等离子蚀刻应用涉及使用氧气作为工艺气体时,出于安全原因,强烈建议使用Edwards爱德华真空泵 RV3双级旋片泵或类似的合成油旋转机械泵。因为Edwards爱德华RV3双级旋片泵在泵科学应用方面已成为行业标准。当然,在需要避免使用油基旋转机械泵的地方,也可选择干式真空泵。
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